[发明专利]一种Nb‑Si‑Ta‑W合金材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510712756.3 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105349864B | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 喻吉良;张如;郑欣;李来平;夏明星;王峰;裴雅 | 申请（专利权）人： | 西北有色金属研究院 |
| 主分类号： | C22C27/02 | 分类号： | C22C27/02;C22C1/02 |
| 代理公司： | 西安创知专利事务所61213 | 代理人： | 谭文琰 |
| 地址： | 710016*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Nb‑Si‑Ta‑W合金材料，由以下原子百分比的原料制成Si 10％～20％，Ta 5％～20％，W 5％～15％，余量为Nb和不可避免的杂质。另外，本发明还公开了制备该Nb‑Si‑Ta‑W合金材料的方法，该方法为一、将硅粉、钽粉、钨粉和铌粉混合均匀后压制成电极，然后置于真空自耗电弧熔炼炉中熔炼2～4次，得到半成品铸锭；二、将半成品铸锭切割加工成棒材，打磨后进行电子束区域熔炼，冷却后得到Nb‑Si‑Ta‑W合金材料。本发明Nb‑Si‑Ta‑W合金材料在1500℃条件下的压缩强度为527MPa～773MPa，其室温断裂韧性、室温压缩强度和高温压缩强度达到了良好平衡。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nb si ta 合金材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Nb‑Si‑Ta‑W合金材料，其特征在于，由以下原子百分比的原料制成：Si 12％～18％，Ta 7％～13％，W 8％～12％，余量为Nb和不可避免的杂质；制备该Nb‑Si‑Ta‑W合金材料的方法为：步骤一、将硅粉、钽粉、钨粉和铌粉混合均匀后压制成电极，然后将所述电极置于真空自耗电弧熔炼炉中，在真空度小于1×10‑3Pa的条件下电弧熔炼2～4次，得到半成品铸锭；所述电弧熔炼的熔炼电流为7kA～9kA，熔炼电压为30V～50V；步骤二、将步骤一中所述半成品铸锭切割加工成棒材，然后打磨所述棒材去除表面氧化皮，打磨后将棒材在真空度小于5×10‑4Pa的条件下进行电子束区域熔炼，冷却后得到Nb‑Si‑Ta‑W合金材料；所述电子束区域熔炼的熔炼电流为0.9A～1.1A，熔炼电压为40kV～60kV。
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