[发明专利]具有金属-绝缘体-硅接触件的存储器件和集成电路器件在审
| 申请号： | 201510713319.3 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105575966A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李盛三 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L23/525;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了存储器件和集成电路器件。该集成电路器件可包括有源区、有源区中的栅电极以及与有源区中的栅电极的一侧相邻的源极/漏极区。源极/漏极区可包括经掺杂的半导体材料。该器件还可包括位于有源区上的层间绝缘层，并且该层间绝缘层可包括暴露出源极/漏极区的上表面的凹进。该器件还可包括导电插塞，其位于凹进中且包括第一金属；以及绝缘层，其位于凹进中且包括第二金属。绝缘层可以位于源极/漏极区的上表面与导电插塞的下表面之间，并且可与经掺杂的半导体材料接触。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 接触 存储 器件 集成电路 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：在衬底中具有源极/漏极区的有源区；与所述有源区交叉的栅线；低电阻绝缘层，其与所述源极/漏极区的上表面接触；位于所述源极/漏极区的上表面上的接触件，所述接触件与所述低电阻绝缘层接触且包括导电金属；以及电连接至所述接触件的存储电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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