[发明专利]一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，以N型单晶硅片作为基片，将硅片进行制绒，清洗，正面进行硼源旋转涂覆，烘干，高温掺杂，正面形成B扩散发射极层，同时在正面及背面形成氧化层；经过酸溶液清洗机，去除背面氧化层；对基片进行背面POCl₃扩散再进行边缘刻蚀，将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，将正面和背面氧化层清洗干净；对基片进行高温氧化再沉积减反射膜；在基片的背面印刷电极图形，烘干后在正面印刷电极图形，烧结后形成N型双面电池。本发明提高了N型双面电池正面和背面效率并减少成本。

主权项

一种N型晶体硅双面太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法采用以下步骤：(1)以N型单晶硅片作为基片，将硅片进行制绒，清洗；(2)将基片正面进行硼源旋转涂覆，烘干；(3)将基片进行高温掺杂，正面形成B扩散发射极层，同时在正面及背面形成氧化层；(4)将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，去除背面氧化层；(5)对基片进行背面POCl₃扩散，背面形成P(磷)扩散层和氧化层；(6)对基片进行边缘刻蚀，将边缘扩散层刻蚀干净；(7)将处理后的基片背面经过酸溶液清洗机，将正面和背面氧化层清洗干净；(8)对基片进行高温氧化，在基片的正面和背面形成氧化层；(9)在基片的正面及背面先后沉积减反射膜；(10)在基片的背面印刷电极图形，烘干后在正面印刷电极图形，烧结后形成N型双面电池。