[发明专利]半导体器件耐压结构有效
| 申请号： | 201510713750.8 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106653830B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 顾炎;宋华;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件耐压结构，该半导体器件耐压结构包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且该高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，该半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板。其中，导体场板位于半绝缘电阻场板的上方，且导体场板处于介质层中。所有半绝缘电阻场板均与场氧化层相邻。导体场板与半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一电容器至少能与另一电容器传送能量。该半导体器件耐压结构在整体上减小了漂移区表面承受的高压，提高了半导体器件的击穿电压，使得半导体器件能够在更高的电压下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 耐压 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件耐压结构，包括用于布置高压互联线的高压互联区域，且所述高压互联区域下方依次为金属层、介质层、场氧化层、漂移区除有源区之外的区域，其特征在于，所述半导体器件耐压结构还包括若干导体场板、若干半绝缘电阻场板；所述导体场板位于所述半绝缘电阻场板上方，且所述导体场板处于所述介质层中以感应高压；所有所述半绝缘电阻场板均与所述场氧化层相邻；所述导体场板与所述半绝缘电阻场板构成若干电容器，且任一所述电容器至少能与另一所述电容器传送能量以减小所述漂移区表面承受的高压。
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