[发明专利]一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510714720.9 申请日: 2015-10-29
公开(公告)号: CN105198480A 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 张小立;刘芳;张艳丽;刘英;穆云超;范积伟;陈静;郭校歌;王明稳;宋林坤 申请(专利权)人: 中原工学院
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00;C04B35/58
代理公司: 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 代理人: 张绍琳;张真真
地址: 451191 河南省郑*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法。该方法使用Mo、Si、C、SiC及B元素粉模压成型,通过调整真空度并熔渗Si进行烧结,获得MoSi2/SiC复合多孔陶瓷,所得材料孔隙率稳定保持在50%或以上。该方法补充了现有多孔材料品种,和现有多孔陶瓷相比,获得了更高使用温度和抗氧化性能环境下使用的多孔陶瓷品种,该法工艺简单,可规模生产。
搜索关键词: 一种 二硅化钼 碳化硅 复合 多孔 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种二硅化钼/碳化硅复合多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,它的步骤如下:(1)将Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉球磨混料,所述Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉的重量比为50‑80:20‑35:1‑10:1‑30:1‑5,混合时间为12‑72hr,加入Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量5‑17%的粘结剂,并模压成型,得到坯料;(2)将坯料室温晾干,然后入烘箱烘干1‑72hr;(3)将烘干后的坯料移入铺有Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉总重量2‑20%的金属Si粉的真空烧结炉中,保持真空度在10‑2‑10‑3Pa,升温速率为2‑6℃/min;(4)在1100‑1480℃保温10‑60min,并降低真空度≥10‑1Pa保持;升温至1500‑1650℃保温10‑60min,并降低真空度≥10‑1Pa保持;升温至1650‑1700℃保温10‑40min,提高真空度≤10‑2Pa保持,冷却后获得MoSi2/SiC复合多孔陶瓷。
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