[发明专利]一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法

摘要

本发明涉及一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，（2）再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，（3）对形核源层做适当的钝化处理，（4）坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层烘干得坩埚成品；本发明工艺控制条件要求低，高效形成稳定性高，降低坩埚杂质扩散对硅锭质量的影响、晶体内部位错密度低，可有效提升坩埚自身的功能性和降低高质量硅锭的制造成本。

主权项

一种低杂质扩散、低位错密度的G6高纯高效坩埚的制备方法，其特征为，其制备方法如下：（1）在石英坩埚坯料底部刷涂或喷涂一层粘结浆料，所述粘结浆料由高纯石英砂料浆和去离子水的混合而成，所述高纯石英砂料浆和去离子水的质量比为1：3~1：6，所述高纯石英砂料浆的固含量为80~85%，高纯石英砂料浆中高纯石英砂的粒度为300~400目；（2）在经步骤（1）涂好粘结浆料的石英坩埚坯料底部再铺设一层高纯球状原生硅料，作为形核源层，所述高纯球状原生硅料采用流化床法生产，纯度在6N~9N之间，粒径在50~100目之间，高纯球状原生硅料的用量在150~300g/锅之间；（3）将经步骤（2）铺好形核源层的普通石英坩埚放入烧结炉内，在空气气氛下对形核源层做适当的钝化处理，控制钝化温度为500~700℃，钝化时间为2~4h，获得钝化好的高效坩埚；（4）在钝化好的高效坩埚侧壁上刷涂或喷涂一层高纯涂层，并控制烘干温度在150~250℃之间，做烘干处理得坩埚成品，所述高纯涂层为高纯石英粉与去离子水混合而成，所述高纯石英粉与去离子水的质量比为1：8~1：10，所述高纯石英粉的纯度大于等于5.5N，高纯石英粉中铁含量小于5ppm，高纯石英粉中石英砂粒径在400~800目之间，高纯石英粉的用量在200~400g/锅之间，所述高纯涂层的厚度在1.5~2.5mm之间。