[发明专利]测温装置、基座及反应腔室有效
| 申请号： | 201510715502.7 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN106653644B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 张军;武学伟;徐宝岗;董博宇 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;C23C14/22;C23C14/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种测温装置、基座和反应腔室。测温装置安装在基座上，其包括测温体、安装体和信号线，测温体的一端设置有测温电极，另一端固定在基座上的与测温电极的预设测温位置对应的位置处；安装体固定在基座上的预设安装位置处；信号线连接测温电极和安装体，用于将测温电极获得的测温信号自安装体引出。本发明提供的测温装置，不仅测温体可以采用更耐温的材料，从而可以避免高温变形而影响使用，而且还便于制作和加工精度高；另外，由于测温体和安装体各自与基座固定连接，这与现有技术相比，不仅可以对测温体进行单独更换，从而可以降低维护成本；而且还便于安装维护。 | ||
| 搜索关键词： | 测温 装置 基座 反应 | ||
【主权项】：
一种测温装置，安装在基座上，其包括测温体、安装体和信号线，其特征在于，所述测温体，其一端设置有测温电极，另一端固定在所述基座上的与所述测温电极的预设测温位置对应的位置处；所述安装体，其固定在所述基座上的预设安装位置处；所述信号线，连接所述测温电极和所述安装体，用于将所述测温电极获得的测温信号自所述安装体引出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
