[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板及其制成方法在审
| 申请号： | 201510716083.9 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN105185840A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 周志超;武岳 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种薄膜晶体管、阵列基板及其制成方法，其中，该薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极均设置在所述栅极的同一侧，其中，所述栅极包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第二缓冲层设置在靠近所述源极和漏极一侧；和/或，所述源极和漏极均包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第一缓冲层设置在靠近所述栅极一侧；所述第一铜层以第一功率沉积得到，所述第二铜层以第二功率沉积得到，且所述第一功率高于所述第二功率。通过上述方式，能够防止蚀刻时光阻脱落。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制成 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括栅极、源极和漏极，所述源极和漏极均设置在所述栅极的同一侧，其中，所述栅极包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第二缓冲层设置在靠近所述源极和漏极一侧；和/或，所述源极和漏极均包括依序叠置的第一缓冲层、第一铜层、第二铜层及第二缓冲层，且所述第一缓冲层设置在靠近所述栅极一侧；所述第一铜层以第一功率沉积得到，所述第二铜层以第二功率沉积得到，且所述第一功率高于所述第二功率。
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