[发明专利]一种检测光刻机焦距偏移量的方法在审
申请号: | 201510719205.X | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105223784A | 公开(公告)日: | 2016-01-06 |
发明(设计)人: | 李文亮;吴鹏;陈力钧;朱骏 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及半导体制造工艺领域,尤其涉及一种检测光刻机焦距偏移量的方法。一种检测光刻机焦距偏移量的方法,一种检测光刻机焦距偏移量的方法,所述方法包括:步骤S1,建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型;步骤S2,检测光刻机焦距偏移量时,量测套刻精度,并将所述套刻精度代入所述线性模型,计算焦距偏移量。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 光刻 焦距 偏移 方法 | ||
【主权项】:
一种检测光刻机焦距偏移量的方法,其特征在于,所述方法包括:步骤S1,建立焦距偏移量与相对于套刻精度的线性模型;步骤S2,检测光刻机焦距偏移量时,量测套刻精度,并将所述套刻精度代入所述线性模型,计算焦距偏移量。
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