[发明专利]一种H3PO4槽小换酸的控制方法在审
申请号: | 201510719240.1 | 申请日: | 2015-10-29 |
公开(公告)号: | CN105390391A | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 吴军;李阳柏;张传民 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/66 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及技术方法技术领域,尤其涉及一种H3PO4槽小换酸的控制方法,在将H3PO4槽的跑货量换算成氮化物的第一刻蚀量的基础上,将H3PO4槽的累积的空闲时间换算成氮化物的第二刻蚀量,通过判断所述第一刻蚀量与所述第二刻蚀量之和是否达到设定的第一阈值来判断是否触发小换酸,本技术方案优化了H3PO4槽小换酸的控制方法,实现了H3PO4对SiO2刻蚀速率的稳定控制。 | ||
搜索关键词: | 一种 h3po4 槽小换酸 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种H3PO4槽小换酸的控制方法,其特征在于,所述控制方法包括:记录H3PO4槽的跑货量,根据所述跑货量计算氮化物的第一刻蚀量;记录H3PO4的累积的空闲时间,根据所述累积的空闲时间计算氮化物的第二刻蚀量;根据所述第一刻蚀量和所述第二刻蚀量计算所述氮化物的刻蚀量;判断所述氮化物的刻蚀量是否大于第一阈值,若不是,则不触发小换酸操作,继续执行所述第一刻蚀量、所述第二刻蚀量及所述氮化物的刻蚀量的累积计算操作;若是,则执行H3PO4槽小换酸,且所述第一刻蚀量、所述第二刻蚀量及所述氮化物的刻蚀量均归零。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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