[发明专利]可提高红光量子效率的CMOS图像传感器及其集成工艺

摘要

本发明公开了一种可提高红光量子效率的CMOS图像传感器及其集成工艺，通过在光电二极管上方间距设置金属反光层，可将由光电二极管下方入射并穿透光电二极管的部分红光反射回光电二极管中，并被光电二极管二次吸收，从而能够提高CMOS图像传感器的红光量子效率，且其集成工艺可利用金属互连层同层形成金属反光层，方法简单。

主权项

一种可提高红光量子效率的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器为背照式，包括位于硅基底中的光电二极管、浮动扩散极，以及位于基底上方的传输栅、接触孔层和金属互连层，在光电二极管的上方、间距光电二极管水平设有金属反光层，以对由光电二极管下方入射并穿透的部分红光进行反射，并被光电二极管二次吸收。