[发明专利]半导体激光器及其制造方法在审
| 申请号： | 201510725600.9 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105576503A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 奥田哲朗 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/30 | 分类号： | H01S5/30;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器及其制造方法。为了改进半导体激光器的特性，块层被设置于具有n型包覆层、有源层和p型包覆层的台面型半导体部分的两侧。该块层具有：形成于台面型半导体部分的侧表面上以及于p型半导体基板之上的p型块层；形成于p型块层之上的高电阻层；以及形成于高电阻层之上的n型块层。高电阻层的电阻大于p型块层的电阻。通过这样在形成块层的p型块层和n型块层之间设置高电阻层，能够控制p型块层的厚度使其不变大，并且能够减小漏电流(空穴流)。此外，能够确保n型包覆层与n型块层之间的距离，并且因此能够防止漏电流(电子流)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器，包含：p型半导体基板；设置于所述半导体基板之上的凸起部分；设置于所述凸起部分的两侧的块层；其中所述凸起部分具有：形成于所述半导体基板之上的p型化合物半导体层；形成于所述p型化合物半导体层之上的有源层；以及形成于所述有源层之上的n型化合物半导体层，并且其中所述块层具有：形成于所述凸起部分的侧表面之上以及于所述半导体基板之上的包含p型化合物半导体的p型块层；形成于所述p型块层之上的第一电阻层；以及形成于所述第一电阻层之上的包含n型化合物半导体的n型块层，并且其中所述第一电阻层具有比所述p型块层的电阻大的电阻。
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