[发明专利]一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法在审
| 申请号： | 201510725990.X | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105424763A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王超;徐豹;栾春红;梁莹林;姜晶;杨萍;伍思昕 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属于半导体氧化物气敏材料领域。本发明利用化学气相沉积法在SnO2纳米颗粒表面通过乙炔气体分解制备碳包覆的SnO2纳米颗粒，后经退火处理调控表面碳材料的构成和形貌，得到气敏性能显著增强的碳修饰的纳米SnO2气敏材料。本发明首次将碳修饰的纳米SnO2材料应用于气体检测方向，相对于其他提高气敏材料性能的方法，如溅射或蒸发制备金属氧化物半导体薄膜、溶胶凝胶法制备具有特殊微结构形貌的纳米颗粒、修饰掺杂贵金属Pt、Pd、Au等方法，本发明具有方法简单、成本低廉的优点，且得到的碳修饰的SnO2纳米气敏材料的气敏性能有显著的提高，在气敏材料领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 氧化 锡气敏 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将SnO2粉末置于真空管式炉中，在惰性气氛下升温至200～600℃，保温30～60min；步骤2：保持真空管式炉内温度不变，同时通入流量为10～100mL/min的惰性气体和流量为20～150mL/min的乙炔气体，至通入的乙炔的体积与SnO2的质量的比为20～3000mL/g时，停止通入乙炔，并维持惰性气体流量不变，以3～10℃/min的降温速率冷却到室温，即得到碳包覆的SnO2颗粒粉末；步骤3：将步骤2得到的碳包覆SnO2颗粒粉末置于真空管式炉内，在惰性气氛下300～800℃退火处理1～12h，即得到本发明所述碳修饰SnO2纳米气敏材料。
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