[发明专利]一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510726104.5 申请日: 2015-10-30
公开(公告)号: CN105304737A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 王新强;王平;荣新;盛博文;唐宁;郑显通;马定宇;荀坤;沈波 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L31/0352 分类号: H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括:衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极;N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构;通过设计图形化衬底的排布和直径,可精确调控阵列纳米线的周期和直径,满足不同太阳能电池的需求;N型纳米线的表面积/体积比较大,有效提高了太阳能电池的吸收面积;阵列纳米线具有光子晶体效应,可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围;N型纳米线的直径小于太阳光波长,具有明显的聚光效应,调节N型纳米线的尺寸,提高太阳能电池的吸收效率;工艺简单,成本低廉,能实现批量生产。
搜索关键词: 一种 可控 阵列 纳米 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种可控阵列纳米线太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极;其中,在衬底上生长N型掺杂层;在N型掺杂层的一部分上形成周期性排布的N型纳米线,构成阵列纳米线,与衬底的表面垂直;在N型纳米线外生长多量子阱包裹N型纳米线,构成核‑壳结构;在核‑壳结构外生长P型掺杂层,包裹核‑壳结构;在生长了P型掺杂层的核‑壳结构之间填充绝缘材料,并且绝缘材料不覆生长了P型掺杂层的盖核‑壳结构的顶端;在包裹核‑壳结构的P型掺杂层的顶端形成P型电极;在N型掺杂层的一部分上形成N型电极;所述N型纳米线的材料采用II‑VI族或III‑V族的材料;所述N型纳米线的材料、掺杂的浓度和掺杂原子均与N型掺杂层一致。
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