[发明专利]一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201510726104.5 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN105304737A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 王新强;王平;荣新;盛博文;唐宁;郑显通;马定宇;荀坤;沈波 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人: | 王岩 |
地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种可控阵列纳米线太阳能电池及其制备方法。本发明的太阳能电池包括:衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极;N型纳米线和多量子阱构成核-壳结构;通过设计图形化衬底的排布和直径,可精确调控阵列纳米线的周期和直径,满足不同太阳能电池的需求;N型纳米线的表面积/体积比较大,有效提高了太阳能电池的吸收面积;阵列纳米线具有光子晶体效应,可扩展其对太阳光谱的有效吸收范围;N型纳米线的直径小于太阳光波长,具有明显的聚光效应,调节N型纳米线的尺寸,提高太阳能电池的吸收效率;工艺简单,成本低廉,能实现批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 可控 阵列 纳米 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种可控阵列纳米线太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池包括:衬底、N型掺杂层、N型纳米线、多量子阱、P型掺杂层、绝缘材料、P型电极和N型电极;其中,在衬底上生长N型掺杂层;在N型掺杂层的一部分上形成周期性排布的N型纳米线,构成阵列纳米线,与衬底的表面垂直;在N型纳米线外生长多量子阱包裹N型纳米线,构成核‑壳结构;在核‑壳结构外生长P型掺杂层,包裹核‑壳结构;在生长了P型掺杂层的核‑壳结构之间填充绝缘材料,并且绝缘材料不覆生长了P型掺杂层的盖核‑壳结构的顶端;在包裹核‑壳结构的P型掺杂层的顶端形成P型电极;在N型掺杂层的一部分上形成N型电极;所述N型纳米线的材料采用II‑VI族或III‑V族的材料;所述N型纳米线的材料、掺杂的浓度和掺杂原子均与N型掺杂层一致。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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