[发明专利]半桥驱动电路

摘要

本发明涉及半桥驱动电路，其包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，上半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11H、三极管Q12H、三极管Q13H；三极管Q11H的基极端通过限流电阻R12H与控制信号输入端U+连接；三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15的另一端以及开关MOSFET管Q15H的源极端相互连接后形成驱动电路连接端；开关MOSFET管Q14H的漏极端与驱动电阻R19H的一端连接，驱动电阻,19H的另一端与驱动电阻R20H的一端相互连接后形成上半桥驱动信号输出端GUH。本发明结构紧凑，驱动电流大，确保满足半桥电路的驱动要求，安全可靠。

主权项

1.一种半桥驱动电路，包括上半桥驱动信号放大输出电路以及下半桥驱动信号放大输出电路，其特征是：所述上半桥驱动信号放大输出电路包括三极管Q11H、三极管Q12H以及三极管Q13H；所述三极管Q11H的基极端与限流电阻R12H的一端连接，限流电阻R12H的另一端与上拉电阻R11H的一端、滤波电容C11H的一端连接，所述滤波电容C11H的另一端接地，上拉电阻R11H的另一端与第一电压连接，且限流电阻R12的另一端还与控制信号输入端U+连接；三极管Q11H的发射极通过分压电阻R13H接地，三极管Q11H的集电极端与分压电阻R14H的一端以及三极管Q12H的基极端连接，所述分压电阻R14H的另一端与自举电路（30）连接，三极管Q12H的集电极端分别与反向保护二极管D11H的阳极端、三极管Q13H的基极端以及限流电阻R15H的一端连接，三极管Q12H的发射极端与分压电阻R14H的另一端、限流电阻R18H的一端以及开关MOSFET管Q14H的源极端连接；限流电阻R18H的另一端与限流电阻R17H的一端、开关MOSFET管Q14H的栅极端以及开关MOSFET管Q15H的栅极端连接，限流电阻R17H的另一端与限流电阻R16H的一端以及三极管Q13H的发射极端连接，限流电阻R16H的另一端与反向保护二极管D11H的阴极端连接，三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15H的另一端均与开关MOSFET管Q15H的源极端连接，且三极管Q13H的集电极端、限流电阻R15的另一端以及开关MOSFET管Q15H的源极端相互连接后形成驱动电路连接端；开关MOSFET管Q14H的漏极端与驱动电阻R19H的一端连接，驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端连接，驱动电阻R20H的另一端与开关MOSFET管Q15H的漏极端连接，且驱动电阻R19H的另一端与驱动电阻R20H的一端相互连接后形成上半桥驱动信号输出端GUH。