[发明专利]ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管在审
| 申请号： | 201510727705.8 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105261685A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 徐平;苗振林;周佐华 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/00;C23C14/24 |
| 代理公司： | 长沙智嵘专利代理事务所 43211 | 代理人： | 李杰 |
| 地址： | 423038 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管，该ITO透明导电层的制备方法，包括以下步骤：在LED芯片表面上进行n次镀膜，在后镀膜在前次镀膜形成的薄膜上进行，n次镀膜得到的相应薄膜形成ITO透明导电层，各薄膜的厚度相等，3≤n≤xx。上述ITO透明导电层的制备方法在LED芯片表面上进行n次镀膜，各层薄膜的厚度相等，ITO透明导电层由多层薄膜构建而成，在退火处理过程中，其Rs增大幅度较小，因而正向电压升高较小和LED芯片亮度高。 | ||
| 搜索关键词： | ito 透明 导电 制备 方法 led 芯片 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种ITO透明导电层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在LED外延片表面上进行n次镀膜，在后镀膜在前次镀膜形成的薄膜上进行，所述n次镀膜得到的相应薄膜形成ITO透明导电层，各薄膜的厚度相等，3≤n≤6。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘能华磊光电股份有限公司，未经湘能华磊光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510727705.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种大功率LED光源
- 下一篇：一种采用激光直写制备薄膜降反结构的方法
