[发明专利]一种IGBT芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510727727.4 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN105226089B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 谭灿健;罗海辉;黄建伟;刘国友 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种IGBT芯片的制作方法，包括：通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；将磷通过高能离子注入的方式注入到所述P阱下的预定位置，并进行高温退火激活所述高能磷，形成所述IGBT器件的N阱。除此之外，本发明还公开了一种IGBT芯片，应用如上述的IGBT芯片的制作方法，包括P阱、N阱和基区，所述N阱设置于所述P阱和所述基区之间。所述IGBT芯片通过在P阱和基区之间制作杂质浓度较高的N阱，提高了沟道中载流子的移动能力，减少了阈值电压，减少长工艺偏差和时间成本，提高了工艺效率，降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT芯片的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、通过离子注入的方式，将硼注入到IGBT器件中；步骤2、对所述IGBT器件进行高温退火，激活注入到所述IGBT器件的硼，并使硼达到所述IGBT器件的预设深度，形成P阱；步骤3、将磷通过高能离子注入的方式注入到所述P阱下的预定位置，并进行高温退火激活所述磷，形成所述IGBT器件的N阱；其中，所述N阱与所述P阱形成倒置型PN结势垒。
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