[发明专利]提高晶片产品套准精度的方法在审
| 申请号： | 201510729330.9 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN105223785A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 冯耀斌 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高晶片产品套准精度的方法，通过对光刻机的套准精度的检测，获取光刻机的曝光参数漂移量，并利用APC系统根据光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数和光刻机的曝光参数漂移量设定光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数，以改善产品套准精度性能和稳定性。同时该方法可以实现光刻机间系统面上的匹配，方便产品在不同光刻机间的拓展，进而达到产品良率提升、降低返工和缩短生产周期的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 晶片 产品 精度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高晶片产品套准精度的方法，其特征在于，应用于利用APC系统对光刻机进行曝光参数的设定，所述方法包括：获取所述光刻机的曝光参数漂移量；获取所述光刻机在对当前批次芯片进行光刻工艺时的曝光补偿参数；所述APC系统根据所述曝光补偿参数和所述曝光参数漂移量计算出所述光刻机对下一批次芯片进行光刻工艺的预设曝光参数。
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