[发明专利]带碳化硅膜基板及其制造方法、以及半导体装置

摘要

本发明提供带碳化硅膜基板及其制造方法、以及半导体装置。带碳化硅膜基板层叠在Si基板上、并具备3C‑SiC膜，该制造方法能制造该带碳化硅膜基板，半导体装置具备带碳化硅膜基板。本发明的带碳化硅膜基板具有Si基板、和层叠于Si基板上的SiC膜及掩膜，SiC膜具有设于Si基板上侧的第一SiC膜、和设于第一SiC膜上侧的第二SiC膜，掩膜具有设于Si基板上的、具有开口部(第一开口部)的第一掩膜、和设于第一SiC膜上的、具备开口部(第二开口部)的第二掩膜。开口部的宽度W1[μm]和第一掩膜的厚度T1[μm]满足T1

主权项

1.一种带碳化硅膜基板，其特征在于，包括：硅基板；以及立方晶碳化硅膜和掩膜，层叠在所述硅基板上，所述立方晶碳化硅膜具有：第一立方晶碳化硅膜，设于所述硅基板的上侧；以及第二立方晶碳化硅膜，设于所述第一立方晶碳化硅膜的上侧，所述掩膜具有：第一掩膜，设于所述硅基板和所述第一立方晶碳化硅膜之间；以及第二掩膜，设于所述第一立方晶碳化硅膜和所述第二立方晶碳化硅膜之间，所述第一掩膜具备第一开口部，所述硅基板从所述第一开口部露出，所述第二掩膜具备第二开口部，所述第一立方晶碳化硅膜从所述第二开口部露出，当设所述第一开口部的宽度为W1，设所述第一掩膜的厚度为T1时，T1<tan(54.6°)×W1，其中，W1和T1的单位为μm。