[发明专利]一种具有较低差分模群时延的少模光纤

摘要

本发明涉及一种具有较低差分模群时延的少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.24％～0.36％，R1为9～12μm，包覆在芯层外的包层由内至外依次包括内包层、下陷包层和外包层，所述的内包层相对折射率差Δ2为‑0.02～0.02％，R2为13.6～18μm；所述的下陷包层分为两层，第一下陷包层R3为16～30μm，R3‑R2≥2μm，其相对折射率差以α型折射率分布从R2处的Δ2逐渐变小至R3处的Δ3，Δ3为‑0.8～‑0.4％，第二下陷包层相对折射率差为Δ3，半径R4为18.6～30μm，且R4≥R3，0.5≤(R3‑R2)/(R4‑R2)≤1，所述的外包层为纯石英玻璃层。本发明具有更小的DGD和较大的MFD，同时还保留了较好的抗弯曲性能。

主权项

一种具有较低差分模群时延的少模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述芯层的相对折射率差Δ1为0.24％～0.36％，半径R1为9μm～12μm，包覆在芯层外的包层由内至外依次包括内包层、下陷包层和外包层，所述的内包层折射率为n₂，相对折射率差Δ2为‑0.02％～0.02％，半径R2为13.6μm～18μm；所述的下陷包层分为两层，第一下陷包层紧密围绕内包层，其半径R3为16～30μm，R3‑R2≥2μm，其折射率以α型折射率分布从R2处的n₂逐渐变小至R3处的n₃，相对折射率差以α型折射率分布从R2处的Δ2逐渐变小至R3处的Δ3，Δ3为‑0.8％～‑0.4％，第二下陷包层紧密围绕第一下陷包层，其折射率为n₃，相对折射率差为Δ3，半径R4为18.6μm～30μm，且R4≥R3，0.5≤(R3‑R2)/(R4‑R2)≤1，所述的外包层为纯石英玻璃层。