[发明专利]一种吸盘及其吸附方法有效
申请号: | 201510731089.3 | 申请日: | 2015-10-30 |
公开(公告)号: | CN106653671B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 郑清泉;方洁;夏海 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种吸盘及其吸附方法,包括吸盘主体,所述吸盘主体的中心设有用于基底交接的通孔,所述吸盘主体上设有至少一个凸出吸盘主体且与所述通孔同心分布的密封环,所述密封环上开设有环形凹槽,所述环形凹槽内设有若干与外部真空源连通的真空孔,吸附所述基底时,从所述真空孔通入真空,位于所述密封环与所述基底之间的环形凹槽形成为真空腔。本发明采用环形真空腔的结构,能够逐步改善基底与环形真空腔之间的间隙,内圈的环形真空腔吸附后会减小相邻外圈环形真空腔与基底之间的间隙,最终实现对翘曲基底的有效吸附。 | ||
搜索关键词: | 一种 吸盘 及其 吸附 方法 | ||
【主权项】:
1.一种吸盘,包括吸盘主体,所述吸盘主体的中心设有用于基底交接的通孔,其特征在于,所述吸盘主体上设有至少两个凸出吸盘主体且与所述通孔同心分布的密封环,所述密封环上开设有环形凹槽,所述环形凹槽内设有若干与外部真空源连通的真空孔,吸附所述基底时,从所述真空孔通入真空,位于所述密封环与所述基底之间的环形凹槽形成为真空腔;所述吸盘主体上还均匀分布有若干凸点;所述凸点呈环形分布;所述密封环的高度与所述凸点的高度相同;一个密封环与另一个密封环上的真空孔所连通的真空源的控制彼此独立;两相邻的所述密封环之间的间距优选范围为10mm~20mm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司,未经上海微电子装备(集团)股份有限公司;上海微高精密机械工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510731089.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:定位拍板机构
- 下一篇:护手霜包装套件(采之汲水漾嫩滑‑素颜)
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造