[发明专利]处理装置以及处理方法有效
申请号: | 201510733793.2 | 申请日: | 2015-11-03 |
公开(公告)号: | CN105575792B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 平林英明;长岛裕次 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实施方式的处理装置具备:收纳氢氟酸缓冲液的收纳部;使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部;将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部;将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部;对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部;以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种处理装置,具备:收纳部,收纳氢氟酸缓冲液;处理部,使用上述氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理;供给部,将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给;回收部,将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给;运算部,对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算;以及补充液供给部,基于由运算部求出的氢氟酸缓冲液的蒸发量,将包含氨和水的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给,上述补充液的氨的浓度是2wt%以上且4wt%以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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