[发明专利]一种半透半反液晶显示阵列基板、制造方法及显示装置在审

专利信息
申请号: 201510734981.7 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN105223745A 公开(公告)日: 2016-01-06
发明(设计)人: 李林;柳发霖;庄崇营;何基强 申请(专利权)人: 信利半导体有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;陈卫
地址: 516600 *** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种半透半反液晶显示阵列基板,包括第一基板,在第一基板上形成有经第三绝缘层部分重叠的第一公共电极和像素电极,像素电极与漏电极电连接;在俯视下,所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场;反射电极,形成于所述反射区的像素电极上。本发明还公开了该阵列基板的制造方法及显示装置。该半透半反液晶显示阵列基板结构简单,通过强化第一公共电极与像素电极的边缘电场,控制液晶方向,实现高对比度和较佳显示效果;具有常黑显示模式,不显示时外观效果好,且对比度高,显示效果更优,解决了现有常白显示模式半透半反显示装置对比度差及显示效果差的问题。
搜索关键词: 一种 半透半反 液晶显示 阵列 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种半透半反液晶显示阵列基板,包括透明区和反射区,其特征在于,所述阵列基板包括:第一基板;栅电极,形成于所述第一基板上;第一绝缘层,形成于所述栅电极和第一基板之上;有源层,形成于所述栅电极上方的所述第一绝缘层之上;源电极和漏电极,形成于所述有源层上方;第二绝缘层,形成于所述源电极、漏电极和第一绝缘层上;平坦层,形成于所述反射区的第二绝缘层上;第一公共电极,形成于所述第二绝缘层和平坦层上;第三绝缘层,形成于所述第一公共电极和第二绝缘层上;像素电极,形成于所述第三绝缘层上方,与所述漏电极电连接;在俯视下,所述像素电极与第一公共电极经第三绝缘层的非重叠区形成所述像素电极和第一公共电极的边缘电场;反射电极,形成于所述反射区的像素电极上。
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