[发明专利]防止湿清洗工艺之后的粘滞的微机电系统(MEMS)结构在审
申请号: | 201510735507.6 | 申请日: | 2015-11-02 |
公开(公告)号: | CN106082103A | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 周仲彥 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供了用于制造具有牺牲支撑件以防止粘滞的微机电系统(MEMS)结构的方法。实施至载体衬底的上表面内的第一蚀刻以在腔体中形成牺牲支撑件。实施热氧化工艺以氧化牺牲支撑件,并且以形成作为上表面的衬垫并且包括氧化的牺牲支撑件的氧化物层。通过氧化物层将位于载体衬底上方的MEMS衬底接合至载体衬底。实施至MEMS衬底内的第二蚀刻以形成位于腔体上面并且由氧化的牺牲支撑件支撑的可移动块。实施至氧化物层内的第三蚀刻以横向地蚀刻氧化的牺牲支撑件和以去除氧化的牺牲支撑件。也提供了具有抗粘滞凸块的MEMS结构。本发明实施例涉及防止湿清洗工艺之后的粘滞的微机电系统(MEMS)结构。 | ||
搜索关键词: | 防止 清洗 工艺 之后 微机 系统 mems 结构 | ||
【主权项】:
1.一种微机电系统(MEMS)结构,包括:载体衬底,限定腔体的下表面,其中,所述载体衬底包括沿着所述下表面布置的第一抗粘滞凸块和位于所述第一抗粘滞凸块外围的第二抗粘滞凸块;氧化物层,作为所述载体衬底的上表面及所述腔体的侧壁的衬垫,所述氧化物层包括侧壁衬垫和布置在腔体外围处的牺牲阻挡件,所述牺牲阻挡件与所述侧壁衬垫间隔设置并在所述腔体的下表面上连接以形成U形结构,其中,所述牺牲阻挡件仅覆盖并接触所述第二抗粘滞凸块;以及MEMS器件,布置在所述载体衬底上方并且通过所述氧化物层接合至所述载体衬底,其中,所述MEMS器件包括悬置在所述第一抗粘滞凸块上方的所述腔体中的可移动块,并且所述可移动块从所述第二抗粘滞凸块横向偏移。
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