[发明专利]一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法在审
| 申请号： | 201510735787.0 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105369347A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 李雪松 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/02 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于薄膜的大面积单晶的合成，具体为一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置及方法，该装置包括CVD反应室、反应气体管理系统、排气管理系统及热源；所述CVD反应室顶部设置有反应气体入口管、底部设置有排气管，反应气体管理系统连接入口管、排气管理系统连接排气管，其特征在于，所述CVD反应室底部还设有基板支撑、顶部还设有成核控制器，所述成核控制器连接入口管、悬挂于基板支撑上方，成核控制器由一石英管与一石英盘焊接构成，所述石英管连接反应气体入口管，所述石英盘中心处开设有成核孔。本发明采用特有的成核控制器的设计，能够准确的控制石墨烯的成核位置及数量，从而制备大面积的石墨烯单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 控制 成核 制备 大面积 石墨 烯单晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种通过控制成核制备大面积石墨烯单晶的装置，包括CVD反应室、反应气体管理系统、排气管理系统及热源；所述CVD反应室顶部设置有反应气体入口管、底部设置有排气管，反应气体管理系统连接反应气体入口管、排气管理系统连接排气管，所述热源围绕CVD反应室设置，用于CVD反应室加热，其特征在于，所述CVD反应室底部还设有基板支撑、顶部还设有成核控制器，所述成核控制器连接入口管、悬挂于基板支撑上方，成核控制器由一石英管与一石英盘连接构成，所述石英管连接反应气体入口管，所述石英盘中心处开设有成核孔。
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