[发明专利]新晶体结构酞菁铁纳米线及其制备方法

摘要

一种酞菁铁纳米线，该酞菁铁纳米线的X‑射线衍射谱(测试条件：CuKα1，0.02°/step/2s)在下列的2θ±0.10°处具有特征峰：6.92°、8.70°、9.88°、15.67°、24.11°、26.06°；且对应于上述2θ，半峰宽分别为0.562、0.515、0.324、0.502、0.336、0.306；分别对应于上述2θ，相对衍射强度分别为100％、6.5％、4.7％、18.2％、4.4％、8.7％。

主权项

1.一种制备酞菁铁纳米线的方法，所述酞菁铁纳米线的X‑射线衍射谱，测试条件：Cu_Kα1，0.02°/step/2s，在下列的2θ±0.10°处具有特征峰：6.92°、8.70°、9.88°、15.67°、24.11°、26.06°；且对应于上述2θ，半峰宽分别为0.562、0.515、0.324、0.502、0.336、0.306；分别对应于上述2θ，相对衍射强度分别为100％、6.5％、4.7％、18.2％、4.4％、8.7％；所述方法包括下列步骤：a)将酞菁铁原料置于管式炉中的加热区域；b)在载气氛围下，加热酞菁铁原料至最高500℃，得到升华的气态酞菁铁；c)通过该载气，引导该升华的气态酞菁铁离开该加热区域，至温度较该加热区域低的生长区域；d)在该生长区域，得到酞菁铁纳米线；所述生长区域的温度为室温；在所述加热区域和所述生长区域之间设置60‑90mm的间隙；其中在间隙中设置隔温材料，且隔温材料中设置通气孔；所述载气在所述通气孔内的流速为1L/min‑9L/min。