[发明专利]台面型雪崩光电探测器

摘要

一种台面型雪崩光电探测器，用于高速单光子探测，包括依次制作的一衬底，一N型欧姆接触层，一吸收层，一电荷层，一倍增层，一欧姆接触层，一N型金属电极，一P型金属电极，一减反层，一侧壁高掺层和一表面钝化层，本发明是通过侧壁结构重新定义台面型InGaAs/InP雪崩光电探测器侧壁的电场分布，使得尽量减小器件的侧壁电场分布和暗电流，以提高器件的可靠性、高灵敏度探测性能和雪崩光电探测器的工作频率。

主权项

一种台面型雪崩光电探测器，用于高速单光子探测，包括：一衬底；一N型欧姆接触层，其制作在衬底上；一吸收层，其制作在N型欧姆接触层上的中间位置，该N型欧姆接触层的两侧形成台面；一电荷层，其制作在吸收层上；一倍增层，其制作在电荷层上；一欧姆接触层，其扩散或外延制作在倍增层上的中间部位；一N型金属电极，其制作在N型欧姆接触层表面的两侧台面上；一P型金属电极，其制作在欧姆接触层和倍增层表面的连接处，该P型金属电极的中间形成一窗口；一减反层，其制作在P型金属电极中间的窗口内；一侧壁高掺层，其制作在梯形的吸收层的侧壁上，该侧壁高掺层的下端延伸到N型欧姆接触层的表面，上端延伸到倍增层顶缘；一表面钝化层，其制作在侧壁高掺层的上面，并覆盖部分倍增层。