[发明专利]一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法有效

专利信息
申请号: 201510736568.4 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN106653892B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 郭丽伟;杨军伟;陈小龙 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L31/028 分类号: H01L31/028;H01L31/0352
代理公司: 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人: 王勇;王博
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种光伏装置,包括光源和光伏器件,所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、石墨烯层、第一电极和第二电极,其中,所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上,另一部分位于所述绝缘层上,所述第一电极位于所述开口中,其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上,其一部分与所述石墨烯层接触,另一部分与所述绝缘层接触,其中,所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。本发明的光伏装置为结构简单,尺寸小,在微纳器件和柔性器件中有潜在的应用。
搜索关键词: 绝缘层 光增益 低阻 石墨烯层 半导体 衬底 光伏装置 开口 第二电极 第一电极 光伏器件 衬底接触 光伏效应 光源发射 柔性器件 微纳器件 潜在的 带隙 光源 暴露 应用
【主权项】:
1.一种光伏装置,包括光源和光伏器件,所述光伏器件包括低阻光增益半导体衬底、位于所述低阻光增益半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层的暴露出所述低阻光增益半导体衬底的一部分的开口、连续的石墨烯层、第一电极和第二电极,其中,所述石墨烯层的一部分位于所述开口中的所述低阻光增益半导体上,另一部分位于所述绝缘层上,所述第一电极位于所述开口中,其一部分与所述低阻光增益半导体衬底接触,另一部分与所述石墨烯层接触,所述第二电极位于所述绝缘层和所述石墨烯层上,其一部分与所述石墨烯层接触,另一部分与所述绝缘层接触,其中,所述光源发射的光的能量大于所述低阻光增益半导体衬底的带隙。
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