[发明专利]包含将沉积腔室与处理腔室分开的隔离区域的处理系统有效
| 申请号： | 201510736705.4 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN105590881B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | K·杰纳基拉曼;A·B·马利克;H·K·波内坎蒂;M·斯里拉姆;A·T·迪莫斯;M·斯里尼瓦桑;J·C·罗查-阿尔瓦雷斯;D·R·杜波依斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述一种用于在处理系统中处理基板的设备和方法，所述处理系统包含沉积腔室、处理腔室以及隔离区域，所述隔离区域将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。所述沉积腔室将膜沉积在基板上。所述处理腔室从所述沉积腔室接收所述基板，并且利用膜特性更改装置来更改沉积在所述沉积腔室中的所述膜。提供了根据以上实施例以及其他实施例的处理系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 沉积 处理 分开 隔离 区域 系统 | ||
【主权项】：
一种处理系统，所述处理系统包括：沉积腔室，其中，所述沉积腔室被配置成将膜沉积在基板上；处理腔室，其中，所述处理腔室被布置成从所述沉积腔室接收所述基板，并且传送所述基板远离所述沉积腔室，所述处理腔室进一步包括：膜特性更改装置，所述膜特性更改装置可操作以处理设置在所述处理腔室中的所述基板，从而更改在所述沉积腔室中所沉积的膜的特性；以及至少一个隔离区域，其中，所述至少一个隔离区域被配置成将所述沉积腔室与所述处理腔室分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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