[发明专利]各向异性镀敷方法以及薄膜线圈有效

专利信息
申请号: 201510736803.8 申请日: 2013-09-23
公开(公告)号: CN105316714B 公开(公告)日: 2017-11-14
发明(设计)人: 上岛聪史;太田尚志;铃木将典;出口友季 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: C25D3/38 分类号: C25D3/38;H01F41/04
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 代理人: 杨琦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种能够可靠地形成纵横比高且非常狭窄的间距的线和间隔图形的各向异性镀敷方法以及薄膜线圈。在施加电流来形成涂膜的各向异性镀敷方法中,一边由镀敷液(21)的搅拌部分地破坏在镀敷形成用的电极膜或者形成于该电极膜的表面的涂膜的表面产生的镀敷液(21)的金属离子稀薄层(17)中的、存在于想要选择性地镀敷成长的方向上的该金属离子稀薄层(17)一边形成涂膜。
搜索关键词: 各向异性 方法 以及 薄膜 线圈
【主权项】:
一种各向异性镀敷方法,其特征在于:具备:将由具有第1线宽度、第1间隔宽度以及第1厚度的第1线和间隔图形构成的预镀图形形成于基板的主面的工序;在将所述基板浸于镀敷液中的状态下使第1电流流向所述预镀图形,在没有个别地强制各个线图形的各向异性成长的框架的状态下,使所述预镀图形各向同性地镀敷成长,形成由具有宽于所述第1线宽度的第2线宽度、小于所述第1间隔宽度的第2间隔宽度以及厚于第1厚度的第2厚度并且在各个线图形的上部具有弯曲面的第2线和间隔图形构成的第1镀敷图形的工序;在将所述基板浸于所述镀敷液中的状态下使大于所述第1电流的第2电流流向所述第1镀敷图形,在所述第1镀敷图形的表面产生金属离子稀薄层,并且搅拌所述镀敷液而部分地破坏各个线图形的上部的所述金属离子稀薄层,从而在没有个别地强制各个线图形的各向异性成长的框架的状态下,使所述第1镀敷图形各向异性地镀敷成长,形成由具有厚于所述第2厚度的第3厚度并且在各个线图形的上部具有弯曲面的第3线和间隔图形构成的第2镀敷图形的工序,所述第1电流的电流密度为3~20A/dm2,所述第2电流的电流密度为30~70A/dm2。
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