[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法，该方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上形成第一缓冲层，在第一缓冲层上形成遮光层；在遮光层上形成第二缓冲层；在第二缓冲层上形成多晶硅层；通过第一道光罩工序对多晶硅层、第二缓冲层和遮光层进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案。与现有技术相比，本发明能够节省制造时的工序，从而降低成本，而且进一步使得遮光图案与多晶硅图案的宽度相同，改善了显示效果。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成第一缓冲层，所述第一缓冲层为氮化硅缓冲层；在所述第一缓冲层上形成遮光层,所述遮光层为金属遮光层；在所述遮光层上形成第二缓冲层，所述第二缓冲层为氧化硅缓冲层；在所述第二缓冲层上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行激光退火，以形成多晶硅层，其中，在对所述非晶硅层进行激光退火时，部分激光能量穿过其下方的第二缓冲层，并经由所述金属遮光层反射至所述非晶硅层；通过第一道光罩工序对所述多晶硅层、所述第二缓冲层和所述遮光层进行刻蚀，以一次性形成遮光图案、缓冲图案和多晶硅图案；在所述多晶硅图案上通过第二道光罩工序和掺杂工序在所述多晶硅图案上形成本征区域和位于所述本征区域两侧的掺杂区域，所述掺杂区域包括轻掺杂区域和重掺杂区域，所述轻掺杂区域位于所述本征区域与所述重掺杂区域中间，所述轻掺杂区域和所述重掺杂区域是通过离子注入或扩散的方式而形成，所述轻掺杂区域与所述重掺杂区域离子注入或扩散的剂量不同,其中，所述重掺杂区域和所述轻掺杂区域在相同的光罩工序中同时实现，且所述第二道光罩工序中的光罩为半调掩膜。