[发明专利]一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法在审
| 申请号： | 201510739112.3 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105304688A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李俊焘;代刚;施志贵;徐星亮;宋宇;李沫;张林 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/04 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法，属于功率半导体器件技术领域；本发明在功率半导体器件的结终端耐压区(即第一传导类型浅掺杂区和第二传导类型重掺杂区)的引入一层第二传导类型掺杂层，然后通过多次刻蚀的方法实现多区结终端扩展结构，从而使该区域电荷在横向与纵向实现随着距主结的横向距离而减小。本发明能够提高器件结终端单位长度的耐压，缩小终端的面积，简化工艺，降低制作难度，提高生产效率，降低生产成本，提高产品的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 碳化硅 功率 器件 终端 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种用于碳化硅功率器件的结终端结构，其特征在于包括：衬底、第一传导类型层、第二传导类型层，第一传导类型层衬底之上，第二传导类型层位于第一传导类型层之上，第一传导类型层与第二传导类型层的界面处为主结；主结的边缘有由第二传导类型掺杂物形成的结终端扩展区域，结终端扩展区域中具有小于第二传导类型层中的掺杂物浓度，且总电荷在纵向方向上呈现浓度梯度；所述衬底为单层或多层具有不同传导类型的碳化硅半导体材料。
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