[发明专利]微机电器件的制备方法在审
| 申请号： | 201510740434.X | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN106629579A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 苗斌;李加东;吴东岷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微机电器件的制备方法，包括图形化硅片，在所述硅片的表面形成若干光刻胶掩膜；其中，若干光刻胶掩膜之间形成硅片的暴露区；在硅片的具有光刻胶掩膜的一侧沉积金属层；其中，金属层包括叠层设置的3nm～8nm厚的Ag层和8nm～12nm厚的Au层；将具有金属层和光刻胶掩膜的硅片浸入刻蚀液中，暴露区被刻蚀，形成微机电器件。本发明通过调整金属层的组分和厚度、以及刻蚀液中各组分的含量，制备得到了具有毫米尺寸的微机电器件，获得的微机电器件还具有高深宽比以及垂直侧壁的特点。根据本发明的微机电器件的制备方法，克服了现有技术中的微机电器件的制备方法所存在的导热不均或是无法获得垂直侧壁的不足。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电器件的制备方法，其特征在于，包括：图形化硅片，在所述硅片的表面形成若干光刻胶掩膜；其中，所述若干光刻胶掩膜之间形成所述硅片的暴露区；在所述硅片的具有光刻胶掩膜的一侧沉积金属层；其中，所述金属层包括叠层设置的3nm～8nm厚的Ag层和8nm～12nm厚的Au层；将所述具有金属层和光刻胶掩膜的硅片浸入刻蚀液中，所述暴露区被刻蚀，形成微机电器件。
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