[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510741199.8 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN105575428B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 林相吾 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/14;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的操作方法包括：将读取电压施加至多个存储块之中的选定存储块的选定字线，所述多个存储块包括耦接在位线与源极线之间的单元串；通过在选定存储块的单元串中形成通道来检测源极线的电压；将源极线的电压与对应于选定存储块的参考电压进行比较；以及当作为比较的结果源极线的电压大于参考电压时，对耦接至选定字线的存储单元执行最低有效位(LSB)读取操作，并且当作为比较的结果源极线的电压小于参考电压时，对存储单元执行最高有效位(MSB)读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的操作方法，所述操作方法包括：将读取电压施加至多个存储块之中的选定存储块的选定字线，所述多个存储块包括耦接在位线与源极线之间的单元串；通过在选定存储块的单元串中形成通道来检测源极线的电压；将源极线的电压与对应于选定存储块的参考电压进行比较；以及当作为比较的结果源极线的电压大于参考电压时，对耦接至选定字线的存储单元执行最低有效位LSB读取操作，并且当作为比较的结果源极线的电压小于参考电压时，对存储单元执行最高有效位MSB读取操作。
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