[发明专利]一种扇出型封装结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510741725.0 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN105225965B 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 林正忠;蔡奇风 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法,所述方法包括以下步骤:S1:提供一基板,在所述基板上表面形成粘胶层;S2:在所述粘胶层上表面形成再分布引线层;S3:在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构;所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接,且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部;S4:在所述再分布引线层上表面形成塑封层,所述塑封层覆盖所述第一芯片,且暴露出所述第一凸块结构的上端;S5:去除所述基板及粘胶层,在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。本发明可以减少芯片与再分布引线层之间的偏移,提高良率;且封装过程更为简单,可以降低生产成本。
搜索关键词: 一种 扇出型 封装 结构 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:提供一基板,在所述基板上表面形成粘胶层;S2:在所述粘胶层上表面形成再分布引线层;S3:在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构;所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接,且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部;S4:在所述再分布引线层上表面形成塑封层,所述塑封层覆盖所述第一芯片,且暴露出所述第一凸块结构的上端,所述第一凸块结构的上端突出于所述塑封层上表面;形成所述塑封层包括以下步骤:S4‑1:提供一压模组件,所述压模组件包括底部压块及顶部压块;S4‑2:在所述顶部压块下表面贴上隔离膜,将所述基板放置于所述底部压块表面,并在所述再分布引线层表面放置塑封材料;S4‑3:通过所述顶部压块及所述底部压块将所述基板夹紧,使所述塑封材料被压平,且所述第一凸块结构的上端嵌入所述隔离膜中,即所述第一凸块结构的上端突出于所述塑封层上表面的高度等于所述压模组件中所述隔离膜的厚度;S4‑4:释放所述顶部压块及所述底部压块,并剥离所述隔离膜;S5:去除所述基板及粘胶层,在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。
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