[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法有效
申请号: | 201510741988.1 | 申请日: | 2015-11-04 |
公开(公告)号: | CN106647164B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 徐飞;郭贵琦;金海涛;葛海鸣;巫轶骏;沈健;陈帅;王然 | 申请(专利权)人: | 常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/82 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 | 代理人: | 章鸣玉 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法,涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备,尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构,包括以下步骤:向蚀刻液输送管路送入蚀刻液,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水;连续输送蚀刻液,完成被蚀刻工件的蚀刻工艺;向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液;用纯水替代蚀刻液输送管路第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液。能够有效地预防蚀刻液输送管路的结晶,避免结晶物影响后续蚀刻工艺和掩膜版成品质量,节省定期清洗浪费的时间,提高蚀刻工艺的稳定性和可靠性,保持生产过程的连贯性。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 蚀刻 输送 管路 结晶 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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