[发明专利]一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法有效

专利信息
申请号: 201510741988.1 申请日: 2015-11-04
公开(公告)号: CN106647164B 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 徐飞;郭贵琦;金海涛;葛海鸣;巫轶骏;沈健;陈帅;王然 申请(专利权)人: 常州瑞择微电子科技有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/80 分类号: G03F1/80;G03F1/82
代理公司: 上海三和万国知识产权代理事务所(普通合伙) 31230 代理人: 章鸣玉
地址: 213000 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种避免蚀刻液输送管路结晶的方法,涉及专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备,尤其涉及在光掩模的制造蚀刻工艺中避免在蚀刻液输送管路中产生结晶物的方法及其管路结构,包括以下步骤:向蚀刻液输送管路送入蚀刻液,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻缓冲液和纯水;连续输送蚀刻液,完成被蚀刻工件的蚀刻工艺;向蚀刻液输送管路送入蚀刻缓冲液,替代蚀刻液输送管路中的蚀刻液;用纯水替代蚀刻液输送管路第二阀门C口之后至喷嘴段的蚀刻缓冲液。能够有效地预防蚀刻液输送管路的结晶,避免结晶物影响后续蚀刻工艺和掩膜版成品质量,节省定期清洗浪费的时间,提高蚀刻工艺的稳定性和可靠性,保持生产过程的连贯性。
搜索关键词: 一种 避免 蚀刻 输送 管路 结晶 方法
【主权项】:
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