[发明专利]用于垂直NAND孔蚀刻的镀覆金属硬掩模

摘要

本发明涉及用于垂直NAND孔蚀刻的镀覆金属硬掩模。本文的实施方案涉及到用于形成高深宽比的凹陷特征的方法、装置和系统。通常，这些特征在制造垂直的NAND(VNAND)存储器设备的背景中形成。各种公开的实施方案涉及的工艺流程是涉及：在覆盖下伏的材料堆叠的金属种子层上沉积牺牲柱并使牺牲柱成形，在牺牲柱周围电镀或化学镀覆金属硬掩模材料，去除牺牲柱，蚀刻下伏的材料堆叠，以形成高深宽比的凹陷特征。

主权项

1.一种在衬底上形成凹陷特征的方法，所述方法包括：(a)在所述衬底上形成牺牲柱，所述衬底包括在下伏材料上的导电种子层，其中所述牺牲柱在将形成凹陷特征的在所述下伏材料中的区域的正上方形成；(b)围绕所述牺牲柱在所述导电种子层上沉积金属硬掩模材料，以通过电镀、化学镀或化学气相沉积形成金属硬掩模层；(c)除去所述牺牲柱，以形成在所述金属硬掩模层中的开口；(d)除去在所述金属硬掩模层中的所述开口中的导电种子层；和(e)蚀刻所述下伏材料，由此形成在所述金属硬掩模层中的所述开口正下方的所述凹陷特征。