[发明专利]一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器在审
| 申请号： | 201510746535.8 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105426957A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 马军;任国栋 | 申请（专利权）人： | 兰州理工大学 |
| 主分类号： | G06N3/06 | 分类号： | G06N3/06 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 付雷杰;张瑜 |
| 地址： | 730050 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器，包括神经元电路，其特征在于，还包括电磁辐射效应电路和加法器，且电磁辐射效应电路的输入端分别与神经元电路的输出端、等效外界磁通连接，以输入神经元响应即膜电位x和等效外界磁通量φext，电磁辐射效应电路的输出端与加法器连接，输出电磁辐射效应电路对神经元的电磁辐射作用i与流入神经元细胞膜的离子电流Iext经加法器求和后，接入神经元电路neuron的输入端，本神经元电活动模拟器工作稳定后输出包含电磁记忆效应的神经元响应即膜电位x。本发明考虑了神经元膜电位放电的电磁记忆效应，保证了神经元电活动规律。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电磁辐射 神经元 活动 模拟器 | ||
【主权项】：
一种电磁辐射下的神经元电活动模拟器，包括神经元电路，其特征在于，还包括电磁辐射效应电路和加法器，且电磁辐射效应电路的输入端分别与神经元电路的输出端、等效外界磁通连接，以输入神经元响应即膜电位x和等效外界磁通量φext，电磁辐射效应电路的输出端与加法器连接，输出电磁辐射效应电路对神经元的电磁辐射作用i与流入神经元细胞膜的离子电流Iext经加法器求和后，接入神经元电路neuron的输入端，本神经元电活动模拟器工作稳定后输出包含电磁记忆效应的神经元响应即膜电位x。
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