[发明专利]制造硅锭的方法和硅锭在审
申请号: | 201510747632.9 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN105586633A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | N.卡斯帕里;H-J.舒尔策 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/04 | 分类号: | C30B15/04;C30B29/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;张涛 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 制造硅锭的方法和硅锭。一种硅锭的丘克拉斯基生长方法包括在坩埚中将硅材料与n型掺杂剂材料的混合物熔化。在提取时间段期间从熔融硅提取硅锭。在提取时间段的至少一个子时段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂该硅锭。 | ||
搜索关键词: | 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种硅锭的丘克拉斯基生长的方法,该方法包括:在坩埚中将硅材料和n型掺杂剂材料的混合物熔化;在提取时间段期间从熔融硅提取硅锭;以及在提取时间段的至少一个子时段期间用附加n型掺杂剂材料来掺杂硅锭。
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