[发明专利]一种双通道超导连接及其制备方法有效
| 申请号： | 201510750190.3 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105428517B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 应利良;熊伟;王会武;张国峰;王镇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/02;H01L39/06;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双通道超导连接及其制备方法，包括：于衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层；刻蚀第二超导材料层和第一绝缘材料层，露出第一超导材料层；刻蚀第一、第二超导材料层，形成双通道超导连接和约瑟夫森结；于第一绝缘材料层和衬底上形成第二绝缘材料层；形成旁路电阻；沉积第三超导材料层，并形成配线。双通道超导连接包括：并联的第一、第二通道，第一通道包括依次层叠的衬底、底电极、绝缘材料层及对电极；所述第二通道为衬底上的纯超导通道。本发明通过改进超导电路版图，在制备层间超导通道时，并联一个纯的超导连接通道，克服了以往的连接通道的约瑟夫森效应，提高了超导电路器件的性能及其稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 超导材料层 绝缘材料层 超导连接 双通道 衬底 制备 超导电路 超导通道 并联 刻蚀 约瑟夫森结 连接通道 旁路电阻 依次层叠 底电极 对电极 层间 配线 沉积 改进 | ||
【主权项】：
1.一种双通道超导连接的制备方法，其特征在于，所述双通道超导连接的制备方法至少包括：步骤S1：提供一衬底，于所述衬底上依次制备第一超导材料层、第一绝缘材料层、第二超导材料层的三层薄膜结构；步骤S2：刻蚀所述第二超导材料层和所述第一绝缘材料层，以露出部分所述第一超导材料层；步骤S3：旋涂光刻胶，刻蚀所述第一超导材料层及所述第二超导材料层，露出部分所述衬底及部分所述第一绝缘材料层，以于需要制备所述双通道超导连接的位置形成所述双通道超导连接的图形，同时于需要制备约瑟夫森结的位置形成所述约瑟夫森结；步骤S4：于露出的所述绝缘材料层和所述衬底上形成第二绝缘材料层；步骤S5：沉积器件中的旁路电阻材料层，并刻蚀所述旁路电阻材料层以形成旁路电阻的图形；步骤S6：沉积第三超导材料层，并刻蚀形成配线图形。
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