[发明专利]一种氮化镓二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201510751506.0 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105321994B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张葶葶;李亦衡;王东盛;苗操;魏鸿源;严文胜;朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215600 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓二极管及其制备方法，该氮化镓二极管增加了阳极金属层与N型氮化镓层等半导体之间的肖特基势垒高度，从而降低金属‑半导体之间的漏电流。该氮化镓二极管，包括：衬底；N型氮化镓层，其形成于所述衬底的上表面上；P型氮化镓层，其形成于所述N型氮化镓层的上表面上；阳极金属层，其形成于所述P型氮化镓层的上表面上与所述P型氮化镓层形成肖特基接触。所述P型氮化镓层的厚度为5~200nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓二极管，其特征在于，包括：衬底；N型氮化镓层，其形成于所述衬底的上表面上；P型氮化镓层，其形成于所述N型氮化镓层的上表面上；阳极金属层，其形成于所述P型氮化镓层的上表面上与所述P型氮化镓层形成肖特基接触；阴极金属层，其沉积于所述N型氮化镓层上且与所述P型氮化镓层、所述阳极金属层具有一段间距。
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