[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510753020.0 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105590963A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 俞在炫;金琯英;卢镇铉;孟佑烈;全基文;全镕宇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：基板，具有第一导电类型的有源区；在有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖有源区并在漂移区上的栅极；设置在有源区和栅极之间的栅绝缘膜；第二导电类型的漏极区，在漂移区中的与栅极间隔开的位置处，并具有比漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在漂移区中与漏极区间隔开并在栅极和漏极区之间；和第二导电类型的源极区，形成在栅极和漏极区之间的第一导电类型的浅阱区中并具有比第一导电类型的浅阱区高的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括第一导电类型的有源区；在所述有源区中的第二导电类型的漂移区；覆盖所述有源区并在所述漂移区上的栅极；设置在所述有源区和所述栅极之间的栅绝缘膜；在所述漂移区中的第二导电类型的漏极区，与所述栅极间隔开并具有比所述漂移区高的掺杂浓度；第一导电类型的浅阱区，在所述栅极和所述漏极区之间并与所述漏极区间隔开，并在所述漂移区中；和第二导电类型的源极区，在所述栅极和所述漏极区之间的所述浅阱区中并具有比所述浅阱区高的掺杂浓度。
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