[发明专利]半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路有效
| 申请号： | 201510754154.4 | 申请日： | 2015-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN105591636B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 竹村崇 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H03K17/22 | 分类号： | H03K17/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制电路规模以及消耗电流的增大，在电源的上升状态和下降状态下，设定不同的上电复位阈值电压的半导体电路、电压检测电路以及电压判定电路。上电复位电路(10)具备P型MOS晶体管(P11)；第一N型MOS晶体管(N11)；输出电路(O1)，其根据第一漏极(P11D)与第二漏极(N11D)的连接点的电位来输出第一输出信号，并且输出第二输出信号；第二N型MOS晶体管(N12)；以及第三N型MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电路 电压 检测 以及 判定 | ||
【主权项】：
一种半导体电路，其特征在于，具备：P型MOS晶体管，其具有与电源连接的第一源极、第一漏极、和被供给固定的电位的第一栅极；输出电路，其根据所述第一漏极的电位来输出作为复位信号或者上电信号的第一输出信号，并且输出第二输出信号；恒流电源，其与所述第一漏极连接；以及N型MOS晶体管，其具有被供给固定的电位的第二源极、与所述第一漏极连接的第二漏极、和被施加来自所述输出电路的所述第二输出信号的第二栅极。
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