[发明专利]一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法

摘要

本发明提供一种硅雪崩光电二极管组件及其制作方法，硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm‑780nm之间，入射光通过超材料之后再进入硅雪崩光电二极管。本发明采用了制作工艺成熟和低成本的硅探测器件，借助超材料对可见光的强烈电磁共振吸收作用，将可见光阻挡在硅雪崩光电二极管之外，从而减小可见光对紫外探测的干扰，实现具有较高紫外/可见光识别比的紫外探测。

主权项

一种硅雪崩光电二极管组件，其特征在于，所述硅雪崩光电二极管组件包括：硅雪崩光电二极管和距离所述硅雪崩光电二极管的衬底至少3倍光波波长处的超材料，所述超材料的电磁共振波长位于400nm‑780nm之间，入射光通过超材料之后再进入硅雪崩光电二极管；所述超材料是由制作在玻璃基板上的金属层与介质层交替排列所形成的周期性多层结构组成。