[发明专利]一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构

摘要

本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有超低功耗、高速、适用性强的灵敏放大器结构，由均压模块A、信号传输开关模块B、信号放大模块C构成，均压模块A是用来在电路处于空闲状态时对输入端口IN0、IN1进行置零并均衡这两个输入端口的电压的；信号传输开关模块B，负责控制输入端信号与放大器之间的连接和断开；信号放大模块C主要是用来对输入的微弱信号进行放大成电源至地的全摆幅信号并输出。本发明相对于现存的应用灵敏放大器结构具有很低的功耗；可以在较低的工作电压下工作，并保持较高的读取速度；具有很强的适应性，基本不受位线寄生电容的影响，能够很好的适应于容量大小不同的存储器中。

主权项

一种超低功耗高速强适应性的灵敏放大器结构，其特征在于，由均压模块A、信号传输开关模块B、信号放大模块C构成，所述均压模块A由晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3构成；晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3的栅极相互连接并与端口EQU_N连接，晶体管M2的漏极分别与晶体管M1的源极、输入端口IN0连接，晶体管M3的漏极分别与晶体管M1的漏极、输入端口IN1连接；晶体管M2、晶体管M3的源极均接至地端GND；所述信号传输开关模块模块B由晶体管M4～M11构成，所述晶体管M4、晶体管M5的源极互连后连接至输入端口IN0；晶体管M4、晶体管M5的漏极互连后连接至节点b；晶体管M4的栅极连接至节点S1，晶体管M5的栅极连接至节点sen_1；晶体管M6、晶体管M7的源极互连后连接至输入端口IN1；晶体管M6、晶体管M7的漏极互连后连接至节点c；晶体管M6的栅极连接至节点sen_0；晶体管M7的栅极连接至节点S0；晶体管M8、晶体管M9的源极互连后连接至节点b；晶体管M8、晶体管M9的漏极互连后连接至节点sen_0；晶体管M8的栅极连接至端口SIN_N；晶体管M9的栅极连接至端口SIN；晶体管M10、晶体管M11的源极互连后连接至节点c；晶体管M10与晶体管M11的漏极互连后连接至节点sen_1；晶体管M10的栅极连接至端口SIN；晶体管M11的栅极连接至端口SIN_N；所述信号放大模块C由晶体管M12～M20，反相器M21～M24组成；晶体管M12、晶体管M13的源极均连接至电源VDD；晶体管M12、晶体管M13的栅极均连接至端口EQU；晶体管M12的漏极连接至节点sen_0，晶体管M13的漏极连接至节点sen_1；晶体管M14、晶体管M16的漏极互连后连接至节点sen_0；晶体管M14、晶体管M16的栅极互连后连接至节点sen_1；晶体管M14的源极连接至电源VDD；晶体管M16的源极连接至节点a；晶体管M15、晶体管M17的漏极互连后连接至节点sen_1；晶体管M15、晶体管M17的栅极互连后连接至节点sen_0；晶体管M15的源极连接至电源VDD，晶体管M17的源极连接至节点a；晶体管M20的漏极连接节点a、源极连接至地GND、栅极连接至端口SA_EN；晶体管M18的源极、漏极和衬底互连接至地端GND、栅极连接至节点sen_0；晶体管M19的源极、漏极和衬底互连接至地端GND、栅极连接至节点sen_1；反相器M21的输入端口连接至节点sen_0、输出端口连接至节点S0；反相器M22的输入端口连接至节点sen_1、输出端口连接至节点S1；反相器M23的输入端口连接至节点S0、输出端口连接至端口OUT0；反相器M24的输入端口连接至节点S1、输出端口连接至OUT1；所述晶体管M1、M2、M3、M5、M6、M9、M10、M16～M20均为NMOS晶体管；所述晶体管M4、M7、M8、M11、M12～M15均为PMOS晶体管；所述端口EQU_N为端口EQU信号反相的信号端口；所述端口SIN_N为端口SIN信号反相的信号端口。