[发明专利]一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器及其制备方法，所述宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器包括衬底、下电接触层、第一多量子阱层、中电接触层、第二多量子阱层以及上电接触层。本发明具有以下有益效果本发明的太赫兹量子阱光电探测器具有非常宽的响应谱，单个器件即可有效覆盖1.5~8 THz频率范围，半高宽达2.84 THz，比现有普通太赫兹量子阱光电探测器提升约89%。本发明结构和制作方法简单，效果显著，在半导体光电器件技术领域具有广泛的应用前景。

主权项

一种宽响应谱的太赫兹量子阱光电探测器，其特征在于，包括：衬底；下电接触层，结合于所述衬底表面；第一多量子阱层，结合于所述下电接触层表面，当其量子阱周期数N1所对应的峰值响应频率为f1，最大工作偏压为V1；中电接触层，结合于所述第一多量子阱层表面；第二多量子阱层，结合于所述中电接触层表面，当其量子阱周期数N2所对应的峰值响应频率为f2，最大工作偏压为V2；上电接触层，结合于所述第二多量子阱层表面；其中，f1<f2，且所述第一多量子阱层的实际量子阱周期数M1与所述第二多量子阱层的实际量子阱周期数M2满足：M1M2=N1×V2N2×V1;]]>所述下电接触层、中电接触层及上电接触层分别形成有下金属电极、中金属电极及上金属电极，且所述上金属电极及下金属电极短接为器件的第一电极，而中金属电极层为器件的第二电极。