[发明专利]一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构

摘要

本发明提供一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，所述吸收区结构采用In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0<x<1，0<y≤1，且组分参数x、y呈线性渐变或阶跃式梯度变化，使得吸收区内的禁带宽度实现梯度变化，且组分参数x、y的选取使得In_1-xGa_xAs_yP_1-y材料的晶格常数与InP匹配，同时，其禁带宽度不大于波长为1.5μm的激光的光子能量。本发明采用的梯度能带结构引入的内建电场显著增强了吸收区内的电场强度，增强的电场将有效加速电子的漂移，缩短其在吸收区的渡越时间。本发明可有效降低单行载流子光电二极管吸收区内电子的渡越时间，对提升器件的带宽及实现基于该器件的超高速无线通信系统具有重要意义。

主权项

一种用于单行载流子光电二极管的吸收区结构，其特征在于，所述吸收区结构采用In_1‑xGa_xAs_yP_1‑y材料生长，其中，x、y分别为Ga元素和As元素的材料组分，0<x<1，0<y≤1，且组分参数x、y呈线性渐变或阶跃式梯度变化，使得吸收区内的禁带宽度实现梯度变化。