[发明专利]一种基于仲裁器的绑定前硅通孔测试结构有效
申请号: | 201510757342.2 | 申请日: | 2015-11-05 |
公开(公告)号: | CN105405785B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 梁华国;刘永;黄正峰;李黄祺;蒋翠云;易茂祥;欧阳一鸣 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 余成俊 |
地址: | 230009 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于仲裁器的绑定前硅通孔测试结构,针对现有TSV测试方案只能够检测单种故障以及测试精度不高可检测故障范围窄的难题,实现对电阻开路故障、泄漏故障以及两种故障共存的TSV检测。包括参考延时电路、被测TSV模块电路、仲裁器电路、输入节点In、输出节点Out1和输出节点Out2。依次将被测TSV的延迟时间与不同的参考延迟时间比较,仲裁器电路给出比较结果,确定被测TSV是否存在故障以及存在故障的级别。本发明可以有效的检测出存在电阻开路故障、泄漏故障以及两种故障共存的TSV,具有精度高、可检测故障范围广、提供故障分级功能等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 仲裁 绑定 前硅通孔 测试 结构 | ||
【主权项】:
一种基于仲裁器的绑定前硅通孔测试结构,其特征在于:包括参考延时电路、被测TSV模块电路、仲裁器电路、输入节点In、输出节点Out1、输出节点Out2,其中:所述参考延时电路由第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一四选一多路选择器、第五反相器构成,其中第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器的输入端共接至输入节点In,第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相的输出端一一对应与第一四选一多路选择器的四个输入端连接,且第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相的输出端还一一对应通过第一电容、第二电容、第三电容、第四电容与地相连接,第一四选一多路选择器的输出端与第五反相器输入端连接,第五反相器输出端连接至仲裁器电路;所述被测TSV模块电路由第六反相器、被测TSV、第二四选一多路选择器、第七反相器构成,其中第六反相器的输入端连接至输入节点In,第六反相器的输出端分别连接至被测TSV、第二四选一多路选择器的四个输入端,第二四选一多路选择器的输出端与第七反相器的输入端连接,第七反相器的输出端连接至仲裁器电路;所述仲裁器电路由第一与非门、第二与非门、第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管、第二NMOS管构成,所述参考延时电路中第五反相器输出端与第一与非门的输入端a相连接,被测TSV模块电路中第七反相器的输出端与第二与非门的输入端b相连接,第一与非门的输出端分别与第二与非门的输入端a、第一PMOS管的栅极、第一NMOS管的栅极、第二PMOS管的源极连接,第二与非门的输出端分别与第一与非门的输入端b、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极、第一PMOS管的源极连接,第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极共接至输出节点Out1,第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极共接至输出节点Out2,第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极分别与地相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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