[发明专利]具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器

摘要

本发明公开了具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器。涉及半导体红外探测领域，所要解决的问题是现有太赫兹波探测器的低灵敏度和低效率问题。该探测器包括衬底、缓冲层、导电沟道层、势垒层、帽层、光栅栅极、源漏金属电极，其中，缓冲层、导电沟道层、势垒层组成具有条形阵列结构的阵列导电沟道结构。利用阵列导电沟道结构对导电沟道层中的二维电子气调控，以及阵列导电沟道结构与光栅栅极组成对二维等离子体波调控的二维等离子晶体结构，增强阵列导电沟道结构中二维电子气对太赫兹波的响应，从而具有阵列导电沟道结构的高效、高灵敏度太赫兹波探测器。

主权项

具有阵列导电沟道结构的太赫兹波探测器，其特征在于，包括从下往上依次设置的衬底（11）、缓冲层（12）、导电沟道层（13）、势垒层（14）、光栅栅极（16），以及设于势垒层（14）两侧的漏金属电极（17），导电沟道层（13）包含二维电子气；所述缓冲层（12）、导电沟道层（13）、势垒层（14）组成具有条形阵列结构的阵列导电沟道结构，所述光栅栅极由一个以上的栅极组成，并且每个栅极的径向与阵列导电沟道结构的条形阵列的径向垂直。