[发明专利]一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201510760338.1 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105226090B | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，通过在第一常规沟槽和第二常规沟槽之间的发射极金属电极下方设置一辅助沟槽栅(即辅助沟槽、辅助栅层和其对应的栅氧化层的结构)，以为绝缘栅双极晶体管关断时提供载流子通路，不仅提高了绝缘栅双极晶体管的关断速度，而且提升了绝缘栅双极晶体管的反偏安全工作区特性，提高了绝缘栅双极晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘栅双极晶体管 常规沟槽 辅助沟槽 关断 载流子 发射极金属电极 安全工作区 栅氧化层 辅助栅 反偏 制作 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽，所述辅助沟槽位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间，所述第一常规沟槽、第二常规沟槽和辅助沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，所述辅助沟槽内设置有辅助栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与所述第一常规栅层之间、所述第二常规沟槽的内壁所述第二常规栅层之间和所述辅助沟槽的内壁与所述辅助栅层之间均设置有一第一栅氧化层；位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且位于所述辅助栅层背离所述漂移区一侧的发射极金属电极和辅助栅层引出电极，所述发射极金属电极延伸至所述基区，且所述发射极金属电极与所述辅助栅层之间设置有辅助栅氧化层；以及，位于所述第一常规沟槽和发射极金属电极之间、且位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一源极区，和位于所述第二常规沟槽和发射极金属电极之间、且位于所述基区背离所述漂移区一侧的第二源极区，所述辅助沟槽与所述第一源极区和第二源极区均无接触区域；所述第一常规栅层、所述第二常规栅层、所述发射极金属电极、所述第一源极区以及所述第二源极区的上表面在同一平面上。
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